- полупроводник с низкой подвижностью носителей
- low-mobility semiconductor
Русско-английский словарь по микроэлектронике. 2013.
полупроводник с низкой подвижностью носителей
Look at other dictionaries:
полупроводник с низкой подвижностью носителей заряда — mažo krūvininkų judrio puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low mobility semiconductor vok. Halbleiter mit geringer Trägerbeweglichkeit, m rus. полупроводник с низкой подвижностью носителей заряда, m pranc. semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
Halbleiter mit geringer Trägerbeweglichkeit — mažo krūvininkų judrio puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low mobility semiconductor vok. Halbleiter mit geringer Trägerbeweglichkeit, m rus. полупроводник с низкой подвижностью носителей заряда, m pranc. semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
low-mobility semiconductor — mažo krūvininkų judrio puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low mobility semiconductor vok. Halbleiter mit geringer Trägerbeweglichkeit, m rus. полупроводник с низкой подвижностью носителей заряда, m pranc. semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
mažo krūvininkų judrio puslaidininkis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low mobility semiconductor vok. Halbleiter mit geringer Trägerbeweglichkeit, m rus. полупроводник с низкой подвижностью носителей заряда, m pranc. semi conducteur à basse mobilité des porteurs … Radioelektronikos terminų žodynas
semi-conducteur à basse mobilité des porteurs de charge — mažo krūvininkų judrio puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low mobility semiconductor vok. Halbleiter mit geringer Trägerbeweglichkeit, m rus. полупроводник с низкой подвижностью носителей заряда, m pranc. semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
Баллистический транзистор — Баллистические транзисторы собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей много больше размера канала транзистора. В теории эти транзисторы позволят создать… … Википедия
Печатная электроника — У этой статьи нет иллюстраций. Вы можете помочь проекту, добавив их (с соблюдением правил использования изображений). Для поиска иллюстраций можно: попробовать воспользоваться инструментом FIST: нажми … Википедия
Графен и его создатели — Графен представляет собой одиночный слой атомов углерода, соединенных между собой структурой химических связей, напоминающих по своей геометрии структуру пчелиных сот. Графен обладает высокой прочностью, он прозрачен в силу своей чрезвычайно… … Энциклопедия ньюсмейкеров
ТВЁРДОЕ ТЕЛО — агрегатное состояние в ва, характеризующееся стабильностью формы и хар ром теплового движения атомов, к рые совершают малые колебания вокруг положений равновесия. Различают крист. и аморфные Т. т. Кристаллы характеризуются пространств.… … Физическая энциклопедия
Твёрдое тело — одно из четырёх агрегатных состояний вещества, отличающееся от др. агрегатных состояний (жидкости (См. Жидкость), Газов, плазмы (См. Плазма)) стабильностью формы и характером теплового движения атомов, совершающих малые колебания около… … Большая советская энциклопедия
